商品对比

Collector-Emitter Saturation Voltage

  • - 500 mV
  • 0.7 V
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Test Condition for hFE (VCE)(@VCE) spec (V)

  • 1
  • 10
  • 2
  • 3
  • 5
  • 6
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Collector-base voltage

  • 40V
  • 60V
清除

Collector-emitter voltage

  • 20V
  • 50V
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Output Voltage?Min?

  • 12V
  • 8.55V
  • -8.55V
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DateCode

  • 18+
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Operating Temperature

  • 0℃ ~ 150℃
  • 150°C (TJ)
  • -25℃ ~ 125℃
  • -55°C ~ 150°C (TJ)
  • -55°C ~ 200°C (TJ)
  • -55℃~150℃
  • -65°C ~ 150°C (TJ)
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Transistor Polarity

  • NPN
  • PNP
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Dc Current Gain(hFE) max ()

  • 200
  • 240
  • 250
  • 300
  • 320
  • 390
  • 400
  • 600
  • 700
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Package

  • DPAK-3
  • E-Line (TO-92 compatible)
  • SC-70-3
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • SOT-223
  • SOT-23
  • SOT-23-3
  • SOT-563
  • SOT-89-3
  • TO-220AB
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Transistor Type

  • 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 2 NPN (Dual)
  • NPN
  • NPN - Darlington
  • NPN - Pre-Biased
  • PNP
  • PNP - Darlington
  • PNP - Pre-Biased
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Collector-Emitter Voltage max (V)

  • 160
  • 20
  • 30
  • 300
  • 32
  • 40
  • 400
  • 50
  • 60
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

  • 100 @ 10mA, 1V
  • 100 @ 150mA, 10V
  • 160 @ 5mA, 10V
  • 200 @ 100mA, 2V
  • 200 @ 2mA, 5V
  • 200 @ 500mA, 2V
  • 300 @ 10mA, 2V
  • 35 @ 5mA, 10V
  • 80 @ 5mA, 10V
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Output Voltage? Max ?

  • 12.6V
  • 9.45V
  • -9.45V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

  • 100V
  • 20V
  • 30V
  • 400V
  • 40V
  • 45V
  • 50V
  • 60V
  • 80V
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Vce(sat) max (V)

  • 0.15
  • 0.2
  • 0.25
  • 0.3
  • 0.35
  • 0.4
  • 0.5
  • 1
  • 1.5
清除

Collector Current(IC_DC) max (A)

  • 0.15
  • 0.2
  • 0.3
  • 0.5
  • 0.6
  • 1
  • 1.5
  • 2
  • 3
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

  • 250mV @ 1mA, 10mA
  • 250mV @ 300µA, 10mA
  • 250mV @ 5mA, 10mA
  • 400mV @ 5mA, 50mA
  • 500mV @ 100mA, 1A
  • 500mV @ 50mA, 500mA
  • 600mV @ 5mA, 100mA
  • 650mV @ 5mA, 100mA
  • 700mV @ 50mA, 500mA
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Frequency - Transition

  • 100MHz
  • 120MHz
  • 130MHz
  • 150MHz
  • 200MHz
  • 250MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 50MHz
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Collector-Base Voltage(Vcbo) max (V)

  • 120
  • 180
  • 30
  • 300
  • 40
  • 50
  • 50 V
  • 500
  • 60
清除

Test Condition for VCE(sat) - IC(@IC)mA

  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 150
  • 20
  • 2000
  • 500
  • 600
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Quiescent Current

  • 4.1mA
  • 6mA
  • 8mA
清除

Power Dissipation

  • 1 W
  • 1000 mW
  • 300 mW
  • 500 mW
清除

MPQ

  • 1,000.00
  • 3000
清除

Power - Max

  • 1.5W
  • 150mW
  • 1W
  • 200mW
  • 225mW
  • 250mW
  • 2W
  • 300mW
  • 500mW
清除

Current - Collector (Ic) (Max)

  • 1.5A
  • 100mA
  • 1A
  • 200mA
  • 2A
  • 3A
  • 4A
  • 500mA
  • 5A
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Storage temperature

  • -25°C ~ 125°C
  • -55 ~ 150
  • -55°C 155°C
  • -55°C ~ 155°C
  • -65℃- 150 ℃
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Collector current

  • 0.15A
  • 500mA
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Collector power dissipation

  • 0.15W
  • 225mW
清除

Input Voltage

  • 25V
  • 30V
  • -30V
  • 35V
清除

Test Condition for hFE (IC)(@IC)mA

  • 1
  • 10
  • 100
  • 1000
  • 150
  • 2
  • 250
  • 500
清除

Current - Collector Cutoff (Max)

  • 1µA (ICBO)
  • 100µA
  • 100nA
  • 100nA (ICBO)
  • 15nA (ICBO)
  • 1mA
  • 500µA
  • 500nA
  • 50nA (ICBO)
清除

Dc Current Gain(hFE) min ()

  • 100
  • 10000
  • 120
  • 135
  • 14
  • 60
  • 70
  • 80
  • 82
清除

Test Condition for VCE(sat) - IB(@IB) spec (mA)

  • 0.1
  • 1
  • 10
  • 100
  • 15
  • 2
  • 200
  • 30
  • 50
清除

Emitter-base voltage

  • - 5 V
  • 5 V
  • 5V
  • 7V
清除
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